VO2 薄膜作為一種熱門的功能材料, 具有**秀的相變特性和電阻開關特性, 在微測輻射熱計、光存儲器等光學器件**域具有廣泛的應用前景.

 

天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜, 以獲得均勻性好, 沾污少, 附著力強, 較高的透過率的 VO2 薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

射頻離子源型號	RFICP380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

 

客戶采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 產生離子束不斷轟擊源極靶材和工件, 工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫, 源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面, 經沉積擴散過程形成一定厚度的涂層.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 運行結果:

1. 獲得的薄膜在可見光波段具有較高的透過率

2. 薄膜較為平整且對可見光的透過率較高為38%, 退火處理提高了薄膜的結晶性和透過率

3. 制備出單斜結構的VO2薄膜, 且具有晶面擇**取向

4. 制備的薄膜均勻性好, 沾污少, 附著力強, 沉積速率大, 效率高, 產量高

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

 

若您需要進一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
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