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    KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 制備NGZO薄膜

    起訂量: 面議
    價 格: 面議
    品牌: KRI
    供貨總量: 面議
    發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
    所在地: 上海
    有效期至: 長期有效
    最后更新: 2023-07-12 11:24
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    伯東企業(yè)(上海)有限公司
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      上海

    上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/1025/2025/2525/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.

     

    伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數(shù):

    型號

    RFICP140

    Discharge

    RFICP 射頻

    離子束流

    >600 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    14 cm Φ

    離子束

    聚焦平行散射

    流量

    5-30 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    24.6 cm

    直徑

    24.6 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    實驗室通過 XRD  SEM 對薄膜的物相結(jié)構和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應測試儀對薄膜透過率和載流

    聯(lián)系時請說是在機電商情網(wǎng)看到我的,謝謝!

     
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