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    KRi 射頻離子源應用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝

    起訂量: 面議
    價 格: 面議
    品牌: KRI
    供貨總量: 面議
    發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
    所在地: 上海
    有效期至: 長期有效
    最后更新: 2023-07-05 15:19
    關注人數(shù): 1783
    公司基本資料信息
    伯東企業(yè)(上海)有限公司
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    KRi 射頻離子源應用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
    上海伯東某客戶為精密光學鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 生產(chǎn)過程中需在白玻璃上進行鍍膜. 由于國產(chǎn)鍍膜設備在射頻和光控性能方面的限制, 鍍制過程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象, 材料折射率不高, 品質(zhì)無法保證; 且工藝上需要加熱, 這大大增加了鍍膜時間. 經(jīng)過伯東推薦選用國產(chǎn)鍍膜機加裝美國進口 KRi 射頻離子源進行輔助鍍膜, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.
    紅外截止濾光片是一種用于過濾紅外波段的濾鏡, IRCF 利用精密光學鍍膜技術在白玻璃, 藍玻璃或樹脂片等光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜, 其可通過實現(xiàn)近紅外光區(qū)截止以消除紅外光對成像的影響, 是高性能攝像頭的必備組件, 工藝上對所用的鍍膜設備有著極高的要求.
    KRi 射頻離子源應用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
    應用**域: 光學鏡頭
    薄膜工藝: IR-CUT
    產(chǎn)品類別: 紅外截止濾光片
    應用方向: 國產(chǎn)鍍膜機加裝 KRi 射頻離子源進行離子清洗和輔助沉積, 實現(xiàn) IR-CUT 單面鍍膜
    美國 KRi 考夫曼品**射頻離子源通過輔助鍍膜在白玻璃 IRCF 上進行工藝升級, 解決溫漂問題, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長!  射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
     

    KRi 射頻離子源


    美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數(shù):

    型號

    RFICP 40

    RFICP 100

    RFICP 140

    RFICP 220

    RFICP 380

    Discharge 陽極

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    離子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵極直徑

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    20 cm Φ

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

     

    流量

    3-10 sccm

    5-30 sccm

    5-30 sccm

    10-40 sccm

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    長度

    12.7 cm

    23.5 cm

    24.6 cm

    30 cm

    39 cm

    直徑

    13.5 cm

    19.1 cm

    24.6 cm

    41 cm

    59 cm

    中和器

    LFN 2000


    上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域.
    若您需要進一步的了解 K

    若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :

    上海伯東 : 羅**生                               臺灣伯東 : 王小姐
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
    www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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