上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源應(yīng)用于國(guó)產(chǎn)離子束濺射鍍膜機(jī) IBSD
上海伯東客戶某高校使用國(guó)產(chǎn)品**離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備, 工藝過(guò)程中, 國(guó)產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個(gè)小時(shí)就會(huì)燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無(wú)法滿足長(zhǎng)時(shí)間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致薄膜質(zhì)量低的情況. 客戶需要離子源的穩(wěn)定工作時(shí)間不低于 48個(gè)小時(shí), 經(jīng)過(guò)伯東推薦**終改用美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國(guó)產(chǎn)離子源, 單次工藝時(shí)間可以達(dá)到數(shù)百小時(shí), 完全符合客戶長(zhǎng)時(shí)間鍍膜的工藝要求, 維持高穩(wěn)定離子束濺射工藝獲得高品質(zhì)薄膜.
上海伯東真空濺射鍍膜機(jī)離子源改造方案:
根據(jù)客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動(dòng)控制器, 替換國(guó)產(chǎn)離子源后可以長(zhǎng)時(shí)間工作( 時(shí)長(zhǎng)＞100h)！
1. 設(shè)備: 國(guó)產(chǎn)離子束濺射鍍膜機(jī) IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: Vb max:1200V ( 離子束電壓 ), Ib max:＞400mA ( 離子束電流 )
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上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術(shù)規(guī)格:
小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流.
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射頻功率
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600W
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離子束電流
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> 400mA
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離子束電壓
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100-1200eV
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氣體
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Ar, O2, N2,其他
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流量
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5-20 sccm
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工作壓力
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< 0.5mTorr
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離子束柵極
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10cm Φ
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柵極材質(zhì)
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鉬, 石墨
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離子束流形狀
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平行,聚焦,散射
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中和器
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LFN 2000
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高度
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23.5 cm
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直徑
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19.1 cm
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安裝法蘭
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10”CF 或 內(nèi)置型 1”引入端子
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等**域, 上海伯東是美國(guó) KRi考夫曼公司離子源中國(guó)總代理.
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