KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中**常用方法. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法**為常見. 這些蒸發(fā)源的**點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法, 以電流通過(guò)其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過(guò)真空室的溫度時(shí), 材料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上并且在于熱蒸發(fā)時(shí)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于 +/- 3％. 上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
----------- 金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 metal Thermal Evaporation System ----------
KRI 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
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型號(hào)
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽(yáng)極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
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長(zhǎng)度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
|
24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù):
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型號(hào)
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KDC 10
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KDC 40
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KDC 75
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KDC 100
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KDC 160
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Discharge 陽(yáng)極
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DC 電流
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DC 電流
|
DC 電流
|
DC 電流
|
DC 電流
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離子束流
|
>10 mA
|
>100 mA
|
>250 mA
|
>400 mA
|
>650 mA
|
|
離子動(dòng)能
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
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柵極直徑
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1 cm Φ
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4 cm Φ
|
7.5 cm Φ
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12 cm Φ
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16 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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1-5 sccm
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2-10 sccm
|
2-15 sccm
|
2-20 sccm
|
2-30 sccm
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通氣
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型壓力
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
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長(zhǎng)度
|
11.5 cm
|
17.1 cm
|
20.1 cm
|
23.5 cm
|
25.2 cm
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|
直徑
|
4 cm
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9 cm
|
14 cm
|
19.4 cm
|
23.2 cm
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中和器
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燈絲
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