美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, **大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統
• 等離子轉換和穩定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術參數:
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型號 |
eH 400 / eH 400 LEHO |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
40-300 V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 4 cm |
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- 陽極結構 |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-3005A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標準或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動或快接法蘭 |
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- 高度 |
3.0' |
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- 直徑 |
3.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
6-30” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應用**域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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