起訂量: | 面議 |
價 格: | 面議 |
品牌: | KRI |
供貨總量: | 面議 |
發(fā)貨期限: | 自買家付款之日起 3 天內發(fā)貨 |
所在地: | 上海 |
有效期至: | 長期有效 |
最后更新: | 2023-04-03 11:21 |
關注人數: | 1401 |
伯東企業(yè)(上海)有限公司 | |
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聯(lián)系人 | rachel(女士) |
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KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 范圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出**大 600 mA 離子流.
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:
陽極 |
電感耦合等離子體 |
**大陽極功率 |
1kW |
**大離子束流 |
> 500mA |
電壓范圍 |
100-1200V |
離子束動能 |
100-1200eV |
氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
流量 |
5-40sccm |
壓力 |
< 0.5mTorr |
離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
離子束柵極 |
14cm Φ |
柵極材質 |
鉬, 石墨 |
離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
中和器 |
LFN 2000 |
高度 |
25.1 cm |
直徑 |
24.6 cm |
鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用**域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
聯(lián)系時請說是在機電商情網看到我的,謝謝!