大口徑射頻離子源 RFICP 380
上海伯東美國 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, **大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用. 廣泛應用于離子束刻蝕機.
KRi 射頻離子源 RFICP 380 特性
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長. 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
2. 離子源結構模塊化設計
3. 離子光學, 自對準技術, 準直光束設計, 自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
4. 全自動控制器
5. 離子束動能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用
射頻離子源 RFICP 380 技術規格:
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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**大陽極功率 |
>1kW |
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**大離子束流 |
> 1000mA |
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電壓范圍 |
100-1500V |
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離子束動能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-50sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
38cm Φ |
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柵極材質 |
鉬 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
38.1 cm |
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直徑 |
58.2 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
射頻離子源 RFICP 380 基本尺寸:
上海伯東美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等**域.
作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
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