TK10A60D場(chǎng)效應(yīng)晶體管**緣柵MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，驪微電子代理的場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。

（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）；

（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

TK10A60D**緣柵場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)：

晶體管極性: N-Channel

汲極/源極擊穿電壓: 600 V

漏極連續(xù)電流: 10 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 0.75 Ohms

配置: Single

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220 SIS

封裝: Tube

下降時(shí)間: 100 ns

柵極電荷 Qg: 25 nC

功率耗散: 45 W

上升時(shí)間: 55 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 15 ns

TK10A60D場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等**勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管，驪微電子代理的TK10A60D因其具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被廣泛得到應(yīng)用。